Полевыми (униполярными) транзисторами называются полупроводниковые приборы, в которых электрический ток создается основными носителями заряда под действием продольного электрического поля, а модуляция тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым на управляющем электроде.

Область полупроводника, по которой проходит управляемый ток, называется каналом. Электрод, из которого носители заряда входят в канал, называется истоком, а электрод, через который они уходят из канала, называется стоком. Электрод, используемый для управления величиной поперечного сечения канала, называется затвором. Затвор должен быть электрически изолирован от канала. В зависимости от способа изоляции различают:

транзисторы с управляющим p-n-переходом;

транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы).

Структура полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа приведена на рис. 1,а. На подложке из p-кремния создается тонкий слой полупроводника n-типа, выполняющий функции канала, т.е. токопроводящей области, сопротивление которой регулируется электрическим полем. С помощью нижнего p-n-перехода осуществляется изоляция канала от подложки и установка начальной толщины канала.

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом основан на изменении сопротивления активного слоя (канала) путем расширения p-n-перехода при подаче на него обратного напряжения. Наиболее характерной чертой полевых транзисторов является высокое входное сопротивление, т.к. ток затвора мал, поэтому они управляются напряжением. При U_зи = 0 сопротивление канала минимально , где  – удельное сопротивление полупроводника; l, w – длина и ширина канала соответственно, h – расстояние между металлургическими границами n-слоя. Чем больше обратное напряжение на затворе U_зи, тем шире p-n-переходы и тоньше канал. При некотором напряжении затвора канал полностью перекрывается. Это напряжение называется напряжением отсечки U_зи отс.

При подаче на сток положительного напряжения U_си (рис. 1,б) в канале возникает ток I_c и вдоль канала появляется падение напряжения U_х, величина которого зависит от расстояния до истока. Это приводит к возникновению напряжения, запирающего p-n-переход между стоком и затвором U_сз, толщина канала становится переменной. Поскольку |U_сз| > |U_зи|, то канал сильнее сужается вблизи стока. При некотором напряжении U_си = U_си нас – канал перекрывается (рис. 1,б). Сопротивление канала при этом R_к н ¹ 0, оно больше начального R_к 0, и под действием напряжения насыщения через канал проходит максимальный ток I_с макс = U_си нас/R_к н.