Входные и выходные характеристики полевого транзистора

СХЕМЫ ИЗМЕРЕНИЙ

Cхема для измерения характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n – переходом и каналом p-типа.

[image]

Схема для измерения характеристик полевых транзисторов с индуцированным каналом n–типа.

[image]

ТАБЛИЦЫ ИЗМЕРЕНИЙ, РАСЧЁТЫ, ГРАФИКИ

Таблица 1.

U_пор=2 В

Характеристики прямой передачи I_C=f(U_ЗИ) при U_C=6 B.

	U_ЗИ,В	0	0.2	0.4	0.6	0.8	1	1.6	2
	I_C, мА	2.2	1.4	1.2	0.7	0.5	0.3	0.1	0

Выходные характеристики I_C=f(U_CИ)

Расчёт зависимости кривизны полевого транзистора с управляемым p-n– переходом и каналом p–типа от напряжения на затворе.

Входная характеристика полевого транзистора с управляемым p-n–переходом и каналом p–типа.

[image]

Выходные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n–переходом и каналом p–типа.

[image]

Параметры полевого транзистора в точке U_СИ=6 В, U_ЗИ=0.6 В.

Крутизна полевого транзистора.

Внутреннее дифференциальное сопротивление.

Статический коэффициент сопротивления.

Таблица 2.

U_ПОР=1 В

Характеристика прямой передачи I_C=f(U_СИ) при U_СИ=6 В.

U_ЗИ, B		0	2	3	4
I_C, мА	0		0.09	0.66	1.6


	Выходные характеристики I_C=f(U_СИ)

Входная характеристика полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.

[image]

Выходная характеристика полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.

[image]

Параметры полевого транзистора в точке U_СИ=6 B, U_ЗИ=1.5 B.

Крутизна полевого транзистора.

Внутреннее дифференциальное сопротивление.

Статический коэффициент усиления.