- Главная страница
- Электронные приборы
- Построения систем и сетей телекоммуникаций
- Временные коммутационные поля
- Декадно-шаговые АТС
- Квазиэлектронные АТС
- Коммутационные приборы
- Коммутируемая телефонная сеть общего пользования (КТСОП)
- Многозвенные ступени искания
- Многократные координатные соединители
- Направляющие среды телекоммуникаций
- Нумерация на телефонных сетях
- Основы теории телефонного сообщения
- Построение местных телефонных сетей
- Разделение каналов по коду
- Структурная схема телефонного канала
- Пакетная коммутациия в сетях
- Телеграфные каналы
- Телеграфная сеть
- Канал передачи
- Построение линий связи
- Конструктивные элементы воздушных линий связи
- Классификация, конструкция и маркировка кабелей связи
- Типы кабелей связи
- Классификация оптических кабелей связи
- Кабельная телефонная канализация
- Прокладка кабельных линий
- Монтаж кабелей связи
- Ввод кабелей связи в здание станции, в телефонизируемые здания
- Оконечные кабельные устройства и их монтаж
- Содержание кабелей под избыточным воздушным давлением
- Электрические характеристики цепей кабельных линий связи
- Электрические характеристики волоконно-оптических кабелей связи
- Природа и основные параметры влияния между цепями
- Влияние в оптических кабелях связи и меры защиты от взаимных помех
- Источники опасных и мешающих влияний
- Меры защиты линий связи от опасных и мешающих влияний
- Коррозия сооружений связи и меры защиты
- Организация эксплуатации
- Охрана кабельных сооружений, ремонт и аварийно-восстановительные работы
- Проектирование линейнух сооружений на магистральной, зоновой и местной сетях
- Mathlab
- Компьютерная диагностика
- Защита информации в вычислительных сетях
- Формирование последовательностей со случайной природой.
- Мгновенная относительная частота и первый критерий равномерного распределения элементарных событий.
- Методы регулирования вероятностей
- Вероятностные преобразователи информации.
- Криптосистема без передачи ключей.
- Криптосистема c открытым ключом (RSA)
- Шифросистема Эль-Гамаля
- Криптографическая подпись Фиат-Шамира
- Шифры перестановки
- Инъективное преобразование множества
- Получение и обработка изображений
- Понятие и классы изображений
- Растровая и векторная графика
- Позиционные методы кодирования
- Кодирование серий
- Структурные методы кодирования
- Устранение ступенчатости
- Бинарные изображения
- Характеристические числа
- Улучшение изображения
- Видоизменение гистограмм
- Ложные цвета
- Фильтрация изображений
- Фильтрация шумов бинарных изображений.
- Фильтрация шумов полутоновых изображений
- Понятие сегментации
- Сегментация бинарных изображений.
- Линии и области.
- Сегментация полутоновых изображений.
- Фильтрация текстур.
- Автоматизированные системы контроля и управления
- Цифровая обработка сигналов и изображений
- Теория автоматического управления
- Обратная связь
Входные и выходные характеристики полевого транзистора
СХЕМЫ ИЗМЕРЕНИЙ
Cхема для измерения характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n – переходом и каналом p-типа.
![el_pr_1-1.jpg [image]](/images/stories/ep/el_pr_1/el_pr_1-1.jpg)
Схема для измерения характеристик полевых транзисторов с индуцированным каналом n–типа.
![el_pr_1-2.jpg [image]](/images/stories/ep/el_pr_1/el_pr_1-2.jpg)
ТАБЛИЦЫ ИЗМЕРЕНИЙ, РАСЧЁТЫ, ГРАФИКИ
Таблица 1.
|
Uпор=2 В |
Характеристики прямой передачи IC=f(UЗИ) при UC=6 B. |
|
UЗИ,В |
0 |
0.2 |
0.4 |
0.6 |
0.8 |
1 |
1.6 |
2 |
|
|
IC, мА |
2.2 |
1.4 |
1.2 |
0.7 |
0.5 |
0.3 |
0.1 |
0 |
|
Выходные характеристики IC=f(UCИ) |
|
UЗИ,В |
UCИ,В |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
|
0 |
IC, мA |
0.1 |
1.6 |
2 |
2.2 |
2.3 |
2.4 |
2.4 |
2.4 |
2.4 |
2.5 |
2.6 |
|
|
0.6 |
0.06 |
0.07 |
0.8 |
0.9 |
1 |
1 |
1.1 |
1.1 |
1.2 |
1.2 |
1.25 |
||
|
1.2 |
0.04 |
0.08 |
0.12 |
0.13 |
0.13 |
0.14 |
0.15 |
0.16 |
0.17 |
0.18 |
0.2 |
||
Расчёт зависимости кривизны полевого транзистора с управляемым p-n– переходом и каналом p–типа от напряжения на затворе.
Входная характеристика полевого транзистора с управляемым p-n–переходом и каналом p–типа.
![el_pr_1-3.jpg [image]](/images/stories/ep/el_pr_1/el_pr_1-3.jpg)
Выходные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n–переходом и каналом p–типа.
![el_pr_1-4.jpg [image]](/images/stories/ep/el_pr_1/el_pr_1-4.jpg)
Параметры полевого транзистора в точке UСИ=6 В, UЗИ=0.6 В.
Крутизна полевого транзистора.
![]()
Внутреннее дифференциальное сопротивление.
![]()
Статический коэффициент сопротивления.
![]()
Таблица 2.
|
UПОР=1 В |
Характеристика прямой передачи IC=f(UСИ) при UСИ=6 В. |
|
UЗИ, B |
0 |
2 |
3 |
4 |
|
|
IC, мА |
0 |
0.09 |
0.66 |
1.6 |
|
|
Выходные характеристики IC=f(UСИ) |
||
|
UЗИ, В |
UСИ, В |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
|
1.5 |
IC, мА |
0.012 |
0.022 |
0.023 |
0.025 |
0.025 |
0.03 |
0.03 |
0.032 |
0.032 |
0.035 |
0.04 |
|
|
2 |
0.01 |
0.12 |
0.12 |
0.13 |
0.14 |
0.14 |
0.15 |
0.15 |
0.15 |
0.16 |
0.16 |
||
|
2.5 |
0.1 |
0.4 |
0.4 |
0.4 |
0.41 |
0.41 |
0.42 |
0.42 |
0.42 |
0.5 |
0.5 |
||
Входная характеристика полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.
![el_pr_1-8.jpg [image]](/images/stories/ep/el_pr_1/el_pr_1-8.jpg)
Выходная характеристика полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.
![el_pr_1-9.jpg [image]](/images/stories/ep/el_pr_1/el_pr_1-9.jpg)
Параметры полевого транзистора в точке UСИ=6 B, UЗИ=1.5 B.
Крутизна полевого транзистора.
![]()
Внутреннее дифференциальное сопротивление.
![]()
Статический коэффициент усиления.
![]()